- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11507 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/11507
Brevets de cette classe: 574
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
176 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
66 |
| Intel Corporation | 45621 |
41 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
36 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
22 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
18 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
16 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
14 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
12 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
11 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
10 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
9 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
8 |
| NaMLab gGmbH | 23 |
8 |
| Xerox Corporation | 7503 |
7 |
| Rohm Co., Ltd. | 5843 |
7 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
6 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
5 |
| Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited | 109 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
3 |
| Autres propriétaires | 94 |